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    SDRAM

    大容量SDRAM是高存儲密度的動態(tài)數(shù)據(jù)存儲器,由一個或多個SDRAM基片采用立體封裝工藝堆疊而成。廣泛應(yīng)用于航空航天領(lǐng)域嵌入式計算機系統(tǒng)。

      產(chǎn)品特性


    總?cè)萘浚?/span>512M~4G;

    訪問速度:最快達7.5ns

    數(shù)據(jù)寬度:8位,16位,32位,40位,48位;

    電源電壓:3.3V

    典型產(chǎn)品輻照指標(biāo):

    TID: 50kradSi

    SEL: 80Mev·cm2/mg

    SEU: 1Mev·cm2/mg

    工作溫度:-55~105℃。

     

       產(chǎn)品列表


    #

    SDRAM

    存儲容量(bit)

    存儲組織

    電壓

    訪問速度

    抗輻射

    封裝

    溫度等級

    篩選等級

    質(zhì)量等級

     

     

     

     

     

     

    TID 1

    SEL 2

    SEU 3

     

     

     

     

    1

    VDSD1G16xS58xx2V75

    1G

    64M*16

    3.3V

    7.5ns

    >50

    >80

    1

    SOP58

    E、I、S

    E、B、S

    EE、IB、SS

    2

    VDSD1G32xS70xx2V75

    1G

    32M*32

    3.3V

    7.5ns

    >50

    >80

    1

    SOP70

    E、I、S

    E、B、S

    EE、IB、SS

    3

    VDSD1G32xS70xx2V75-

    1G

    32M*32

    3.3V

    7.5ns

    >50

    TBD

    TBD

    SOP70

    E、I、S

    E、B、S

    EE、IB、SS

    4

    VDSD2G08xS54xx4V75

    2G

    256M*8

    3.3V

    7.5ns

    >50

    TBD

    TBD

    SOP54

    E、I、S

    E、B、S

    EE、IB、SS

    5

    VDSD2G32xS70xx4V75

    2G

    64M*32

    3.3V

    7.5ns

    >50

    >80

    1

    SOP70

    E、I、S

    E、B、S

    EE、IB、SS

    6

    VDSD2G40xS70xx5V75

    2G

    64M*40

    3.3V

    7.5ns

    >50

    >80

    1

    SOP70

    E、I、S

    E、B、S

    EE、IB、SS

    7

    VDSD2G72xB134xx5V75

    2G

    32M*72

    3.3V

    7.5ns

    >50

    >80

    1

    BGA134

    E、I、S

    E、B、S

    EE、IB、SS

    8

    VDSD3G48xQ114xx6V75

    3G

    64M*48

    3.3V

    7.5ns

    >50

    >80

    1

    QFP114

    E、I、S

    E、B、S

    EE、IB、SS

    9

    VDSD4G08xS54xx8V75-

    4G

    512M*8

    3.3V

    7.5ns

    >50

    TBD

    TBD

    SOP54

    E、I、S

    E、B、S

    EE、IB、SS

    10

    VDSD4G08xS54xx8V75

    4G

    512M*8

    3.3V

    7.5ns

    >50

    TBD

    TBD

    SOP54

    E、I、S

    E、B、S

    EE、IB、SS

    11

    VDSD4G08xS58xx8V75

    4G

    512M*8

    3.3V

    7.5ns

    >50

    >80

    2

    SOP58

    E、I、S

    E、B、S

    EE、IB、SS

    12

    VDSD4G16xS62xx8V75

    4G

    256M*16

    3.3V

    7.5ns

    >50

    >80

    1

    SOP62

    E、I、S

    E、B、S

    EE、IB、SS

    13

    VDSD512M16xS54xx1V75

    512M

    32M*16

    3.3V

    7.5ns

    >50

    >80

    1

    SOP54

    E、I、S

    E、B、S

    EE、IB、SS


    1、TID: Total DoseKrads(Si)

    2、SEL: LET ThresholdMev.cm2/mg

    3、SEU:SEU Threshold Mev.cm2/mg

     

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    VDSD2G40xS70xx5V75 user manual.pdf

    VDSD2G72xB134xx5V75user manual.pdf

    VDSD2G72xB134xx5V75 user manual.pdf

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    VDSD4G16xS62xx8V75 user manual.pdf

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    VDSD512M16xS54xx1V75 user manual.pdf

    立體封裝模塊焊接后清洗建議.pdf

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    立體封裝模塊加固建議.pdf

    立體封裝模塊加固建議_opt.pdf

    立體封裝模塊手工裝配工藝建議.pdf

    立體封裝模塊手工裝配工藝建議.pdf

    立體封裝模塊自動回流焊裝配規(guī)范.pdf

    立體封裝模塊自動回流焊裝配規(guī)范_opt.pdf

    4Mb 8Mb 16Mb 32Mb

    • Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
      暫無記錄
    • Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
      暫無記錄
    • Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
      暫無記錄
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