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    NOR FLASH

    大容量NORFLASH是高存儲密度的閃存存儲器,由一個或多個NOR FLASH基片采用立體封裝工藝堆疊而成。廣泛應(yīng)用于航空航天、工業(yè)控制等領(lǐng)域的飛機(jī)、衛(wèi)星、飛船、車輛、地面裝備等的計算機(jī)系統(tǒng)中。

     


      產(chǎn)品特性


    總?cè)萘浚?span>64M~512M;

    訪問速度:最快達(dá)90ns;7.5ns;

    數(shù)據(jù)寬度: 4位,8位,16位;

    電源電壓:3.3V;

    典型產(chǎn)品輻照指標(biāo):

    TID: >15kradSi

    SEL: >99.8 Mev·cm2/mg

    SEU: >4.7 Mev·cm2/mg

    工作溫度:-55~125℃。

     

       產(chǎn)品列表


    #

    NOR FLASH

    存儲容量(bit)

    存儲組織

    電壓

    訪問速度

    抗輻射

    封裝

    溫度等級

    篩選等級

    質(zhì)量等級

     

     

     

     

     

     

    TID 1)

    SEL 2)

    SEU 3)

     

     

     

     

    1

    VDRF2G08xS60xx4V90

    2G

    256M*8

    3.3V

    90ns

    TBD

    TBD

    TBD

    SOP60

    E,I,M

    E,B,M,S

    EE, IB, MM, MS

     

    VDRF64M16xS54xx1V90

    64M

    4M*16

    3.3V

    90ns

    >15

    >99.8

    >4.7

    SOP54

    E,I,M

    E,B,M,S

    EE, IB, MM, MS

    2

    VDRF128M16xS54xx2V90

    128M

    8M*16

    3.3V

    90ns

    >15

    >99.8

    >4.7

    SOP54

    E,I,M

    E,B,M,S

    EE, IB, MM, MS

    3

    VDRF256M16xS54xx4V90

    256M

    16M*16

    3.3V

    90ns

    >15

    >99.8

    >4.7

    SOP54

    E,I,M

    E,B,M,S

    EE, IB, MM, MS

    4

    VDRF256M16xS54xx4V90-

    256M

    16M*16

    3.3V

    90ns

    >15

    >99.8

    >4.7

    SOP54

    E,I,M

    E,B,M,S

    EE, IB, MM, MS

    5

    VDRF512M16xS56xx8V90

    512M

    32M*16

    3.3V

    90ns

    >15

    >99.8

    >4.7

    SOP56

    E,I,M

    E,B,M,S

    EE, IB, MM, MS

    VDSF512M04XS18XX2V133

    512M

    128M*4

    3.3V

    7.5ns

    TBD

    TBD

    TBD

    SOP18

    E,I,M

    E,B,M,S

    EE, IB, MM, MS

     

         1)、TID:Total DoseKrads(Si)

    2)、SEL: LET ThresholdMev.cm2/mg

    3)SEU:SEU Threshold Mev.cm2/mg

     

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    4Mb 8Mb 16Mb 32Mb

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