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DDR3
VD3D系列大容量DDR3存儲(chǔ)器，由單片或多片DDR3基片采用立體封裝工藝進(jìn)行堆疊而成。其高可靠、小型化的特性廣泛應(yīng)用于航空航天領(lǐng)域嵌入式計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。
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產(chǎn)品特性 |
總?cè)萘浚?/span>16Gb;
頻率：最高達(dá)800MHz；
位寬：16bit，72bit；
電源電壓：1.5V，兼容1.35V；
封裝：BGA96、BGA199
典型產(chǎn)品輻照指標(biāo)：
TID: 100 krad（Si）
SEL: 60Mev·cm2/mg
SEU: 0.4Mev·cm2/mg
工作溫度：
0~70℃
-40℃~+85℃
-40℃~+105℃
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產(chǎn)品列表 |
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# |
DDR3 |
存儲(chǔ) 容量 |
存儲(chǔ) 組織 |
電壓 |
頻率 |
抗輻射 |
封裝 |
溫度 等級(jí) |
篩選 等級(jí) |
質(zhì)量 等級(jí) |
||
|
TID 1 |
SEL 2 |
SEU 3 |
||||||||||
|
1 |
VD3D16G16xB96xx2WH |
16Gb |
1Gx16 |
1.5V、1.35V |
667MHz |
100 |
60 |
0.4 |
BGA96 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
|
2 |
VD3D16G72XB199XX2WH |
16Gb |
256M*72 |
1.5V、1.35V |
667MHz |
100 |
60 |
0.4 |
BGA199 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
1、TID: Total Dose（Krads(Si)）
2、SEL: LET Threshold（Mev.cm2/mg）
3、SEU:SEU Threshold （Mev.cm2/mg）
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相關(guān)下載 |
| VD3D16G16xB96xx2WH user manual.pdf |  VD3D16G16xB96xx2WH user manual.pdf |
| VD3D16G72XB199XX2WH user manual.pdf | VD3D16G72XB199XX2WH user manual.pdf |
| 立體封裝模塊自動(dòng)回流焊裝配規(guī)范.pdf | 立體封裝模塊自動(dòng)回流焊裝配規(guī)范_opt.pdf |
| 立體封裝模塊手工裝配工藝建議.pdf | 立體封裝模塊手工裝配工藝建議.pdf |
| 立體封裝模塊加固建議.pdf | 立體封裝模塊加固建議_opt.pdf |
| 立體封裝模塊焊接后清洗建議.pdf | 立體封裝模塊焊接后清洗建議.pdf |
4Mb 8Mb 16Mb 32Mb
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